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2N4341

2N4341

Solo per riferimento

Numero parte 2N4341
PNEDA Part # 2N4341
Descrizione IC JUNCTION FET N-CH TO-18
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario
1 ---------- $63,1653
100 ---------- $60,2044
250 ---------- $57,2436
500 ---------- $54,2827
750 ---------- $51,8153
1.000 ---------- $49,3479
Disponibile 205
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4341 Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4341
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N4341, 2N4341 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 178,34 KB)
PDFPN4302 Datasheet Copertura
PN4302 Datasheet Pagina 2 PN4302 Datasheet Pagina 3

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2N4341 Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)50V
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)3mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2V @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max325mW
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-18

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SK2593GQL

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

30mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3

TIS75_J35Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 4nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MMBF4119

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

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