2N335LT2
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| Numero parte | 2N335LT2 |
| PNEDA Part # | 2N335LT2 |
| Descrizione | NPN POWER SILICON TRANSISTORS |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.202 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N335LT2 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N335LT2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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2N335LT2 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Potenza - Max | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 15nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Potenza - Max 250mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3 |
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