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2LS20017E42W40403NOSA1

2LS20017E42W40403NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte 2LS20017E42W40403NOSA1
PNEDA Part # 2LS20017E42W40403NOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1700V 20A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2LS20017E42W40403NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2LS20017E42W40403NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
2LS20017E42W40403NOSA1, 2LS20017E42W40403NOSA1 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 401,1 KB)
PDF2LS20017E42W40403NOSA1 Datasheet Copertura
2LS20017E42W40403NOSA1 Datasheet Pagina 2 2LS20017E42W40403NOSA1 Datasheet Pagina 3 2LS20017E42W40403NOSA1 Datasheet Pagina 4

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  • Infineon Technologies Distributor
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  • 2LS20017E42W40403NOSA1 Distributor

2LS20017E42W40403NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

430A

Potenza - Max

1562W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 360A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

17.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

BSM35GD120DN2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF600R12ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGF330DA60D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

460A

Potenza - Max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

750µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

BSM35GP120BOSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Potenza - Max

230W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.5nF @ 25V

Input

-

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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