1SS352,H3F
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| Numero parte | 1SS352,H3F |
| PNEDA Part # | 1SS352-H3F |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.303.746 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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1SS352 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1SS352,H3F |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1SS352 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 80V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-76A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-76-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 125°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 10A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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