1SS307E,L3F
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| Numero parte | 1SS307E,L3F |
| PNEDA Part # | 1SS307E-L3F |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 77.298 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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1SS307E Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1SS307E,L3F |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1SS307E Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 80V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10nA @ 80V |
| Capacità @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-79, SOD-523 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-79 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 660mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 60V Capacità @ Vr, F 60pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore SC-90 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, B Pacchetto dispositivo fornitore B, SQ-MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
