1N6482HE3/97
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| Numero parte | 1N6482HE3/97 |
| PNEDA Part # | 1N6482HE3-97 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.470 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N6482HE3/97 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N6482HE3/97 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N6482HE3/97 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 790mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 90V Capacità @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.66V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 800mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 800mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
