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1N6075US

1N6075US

Solo per riferimento

Numero parte 1N6075US
PNEDA Part # 1N6075US
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 3A D5A
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N6075US Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N6075US
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N6075US, 1N6075US Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 135,43 KB)
PDF1N6080US Datasheet Copertura
1N6080US Datasheet Pagina 2 1N6080US Datasheet Pagina 3

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1N6075US Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)150V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.04V @ 9.4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5A
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 155°C

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

65ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

1N4007TA

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

SBR02U100LPQ-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 200mA

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

0402 (1006 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

X1-DFN1006-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

BAS316WS RRG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-90, SOD-323F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323F

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SDM1M40LP8-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

660mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

8.4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN1608-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Venduto di recente

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