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1N5829

1N5829

Solo per riferimento

Numero parte 1N5829
PNEDA Part # 1N5829
Descrizione DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.384
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5829 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5829
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5829, 1N5829 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 766,63 KB)
PDF1N5831R Datasheet Copertura
1N5831R Datasheet Pagina 2 1N5831R Datasheet Pagina 3

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1N5829 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)20V
Corrente - Media Rettificata (Io)25A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If580mV @ 25A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr2mA @ 20V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-4
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, J-Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SJP

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

VS-30ETU12T-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.68V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

220ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

145µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CDBER42-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 25V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

0503 (1308 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0503/SOD-723F

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

BAT64CW-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

V10P10HE3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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