1N5822
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Numero parte | 1N5822 |
PNEDA Part # | 1N5822_5E |
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.536 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5822 Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | 1N5822 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5822 Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/620 |
Tipo di diodo | Schottky |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
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Microsemi Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 770mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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