1N5806US/TR
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Numero parte | 1N5806US/TR |
PNEDA Part # | 1N5806US-TR |
Descrizione | UFR,FRR |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.758 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5806US/TR Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | 1N5806US/TR |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5806US/TR Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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