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1N5621GPHE3/54

1N5621GPHE3/54

Solo per riferimento

Numero parte 1N5621GPHE3/54
PNEDA Part # 1N5621GPHE3-54
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5621GPHE3/54 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5621GPHE3/54
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5621GPHE3/54, 1N5621GPHE3/54 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 73,69 KB)
PDF1N5623GPHE3/54 Datasheet Copertura
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1N5621GPHE3/54 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 800V
Capacità @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

280mV @ 10mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USC

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

RSFDL RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UF1DHR1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CUHS20S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

410mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

390pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

US2H

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

UG06BHA1G

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

600mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 600mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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15ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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