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1N5551C.TR

1N5551C.TR

Solo per riferimento

Numero parte 1N5551C.TR
PNEDA Part # 1N5551C-TR
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Produttore Semtech
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5551C.TR Risorse

Brand Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5551C.TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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1N5551C.TR Specifiche

ProduttoreSemtech Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F92pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaAxial
Pacchetto dispositivo fornitoreAxial
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

605mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

165µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

UG2005-T

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-15

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

S1JL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

V3FL45HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

750µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

370pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

VS-HFA06PB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC Modified

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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