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1N5407G

1N5407G

Solo per riferimento

Numero parte 1N5407G
PNEDA Part # 1N5407G
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 34.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5407G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5407G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5407G, 1N5407G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 156,89 KB)
PDF1N5406RLG Datasheet Copertura
1N5406RLG Datasheet Pagina 2 1N5406RLG Datasheet Pagina 3 1N5406RLG Datasheet Pagina 4 1N5406RLG Datasheet Pagina 5 1N5406RLG Datasheet Pagina 6 1N5406RLG Datasheet Pagina 7

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1N5407G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-201AA, DO-27, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreAxial
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

540pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221AC (SlimSMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

93pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BAT 60B E6433

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

10V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 8V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOD323-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

S1JR3

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

B230Q-13-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

200pF @ 40V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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