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1N5393

1N5393

Solo per riferimento

Numero parte 1N5393
PNEDA Part # 1N5393
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.156
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5393 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5393
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5393, 1N5393 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 113,35 KB)
PDF1N5393 Datasheet Copertura
1N5393 Datasheet Pagina 2 1N5393 Datasheet Pagina 3

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1N5393 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.4V @ 1.5A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-15
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

JANTX1N4944

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/359

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

BYM13-40HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF

Pacchetto dispositivo fornitore

GL41 (DO-213AB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

T85HFL10S05

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-55 T-Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D-55

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

STPSC8H065G2Y-TR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

80µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

414pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK HV

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

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