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1N5282TR

1N5282TR

Solo per riferimento

Numero parte 1N5282TR
PNEDA Part # 1N5282TR
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.670
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5282TR Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5282TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5282TR, 1N5282TR Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 199,09 KB)
PDF1N5282_T50R Datasheet Copertura
1N5282_T50R Datasheet Pagina 2 1N5282_T50R Datasheet Pagina 3 1N5282_T50R Datasheet Pagina 4 1N5282_T50R Datasheet Pagina 5

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1N5282TR Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If900mV @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 55V
Capacità @ Vr, F2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 2000A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150mA @ 2400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AC, K-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 160°C

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Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

500pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 75A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CMSH2-40LBK

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Produttore

Central Semiconductor Corp

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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