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1N5060GPHE3/73

1N5060GPHE3/73

Solo per riferimento

Numero parte 1N5060GPHE3/73
PNEDA Part # 1N5060GPHE3-73
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 19 - nov 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5060GPHE3/73 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5060GPHE3/73
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5060GPHE3/73, 1N5060GPHE3/73 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 71,13 KB)
PDF1N5062GPHE3/54 Datasheet Copertura
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1N5060GPHE3/73 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-204AC (DO-15)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

UPR30/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-216AA

Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

NRVA4003T3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

AS1PK-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

10.4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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