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1N4936GL-T

1N4936GL-T

Solo per riferimento

Numero parte 1N4936GL-T
PNEDA Part # 1N4936GL-T
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.136
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4936GL-T Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4936GL-T
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4936GL-T, 1N4936GL-T Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 80 KB)
PDF1N4937GL-T Datasheet Copertura
1N4937GL-T Datasheet Pagina 2 1N4937GL-T Datasheet Pagina 3

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1N4936GL-T Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)200ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-41
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

525mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

GP2D006A065A

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

60µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

316pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MUR110G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Axial

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

1N4148TR_S00Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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