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1N4933G

1N4933G

Solo per riferimento

Numero parte 1N4933G
PNEDA Part # 1N4933G
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 92.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4933G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4933G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4933G, 1N4933G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 150,92 KB)
PDF1N4934 Datasheet Copertura
1N4934 Datasheet Pagina 2 1N4934 Datasheet Pagina 3 1N4934 Datasheet Pagina 4 1N4934 Datasheet Pagina 5

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1N4933G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-41
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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1N5814

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

SR504-T

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

VS-70HFR20

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 220A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15mA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 180°C

SS12L MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

JAN1N6629U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, E

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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