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1N4154TR_S00Z

1N4154TR_S00Z

Solo per riferimento

Numero parte 1N4154TR_S00Z
PNEDA Part # 1N4154TR_S00Z
Descrizione DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 21 - nov 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4154TR_S00Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4154TR_S00Z
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4154TR_S00Z, 1N4154TR_S00Z Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 156,96 KB)
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1N4154TR_S00Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)35V
Corrente - Media Rettificata (Io)100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 30mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

320A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

3-MAGN-A-PAK™

Pacchetto dispositivo fornitore

MAGN-A-PAK®

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SF65GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SFAF1004G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

170pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UFS515G/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-215AB, SMC Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-215AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

GP02-40-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

4000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 4000V

Capacità @ Vr, F

3pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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