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1N3891R

1N3891R

Solo per riferimento

Numero parte 1N3891R
PNEDA Part # 1N3891R_5E
Descrizione FAST RECOVERY RECTIFIER
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N3891R Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N3891R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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1N3891R Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CDBM140L-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

130pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123T

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini SMA/SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 100°C

MBRF10H35-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

MBRH240200R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

240A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 240A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JANTX1N5811/TR

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/477

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

B, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

B, Axial

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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