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1N3673A

1N3673A

Solo per riferimento

Numero parte 1N3673A
PNEDA Part # 1N3673A
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N3673A Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N3673A
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N3673A, 1N3673A Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 767,79 KB)
PDF1N3671A Datasheet Copertura
1N3671A Datasheet Pagina 2 1N3671A Datasheet Pagina 3

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1N3673A Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 12A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-4
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 200°C

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

420mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

76pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

POWERDI®123

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

S07M-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

700mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

FR302GTA

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Produttore

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Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 70V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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