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1EDN7511BXUSA1

1EDN7511BXUSA1

Solo per riferimento

Numero parte 1EDN7511BXUSA1
PNEDA Part # 1EDN7511BXUSA1
Descrizione DRIVER IC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.280
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1EDN7511BXUSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1EDN7511BXUSA1
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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1EDN7511BXUSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieEiceDriver™
Configurazione guidataHalf-Bridge, Low-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaN-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH1.2V, 1.9V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4A, 8A
Tipo di ingressoInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)6.5ns, 4.5ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-6-2

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

W-DFN3030-10 (Type TH)

IR21363STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

125ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

IR21834SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

TPS28225DRBT

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Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 8.8V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Configurazione guidata

-

Tipo di canale

-

Numero di driver

-

Tipo di porta

-

Tensione - Alimentazione

-

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

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Tempo di salita / discesa (tipico)

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