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0912-45

0912-45

Solo per riferimento

Numero parte 0912-45
PNEDA Part # 0912-45
Descrizione RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

0912-45 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte0912-45
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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0912-45 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8dB ~ 9dB
Potenza - Max225W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 300mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55CT
Pacchetto dispositivo fornitore55CT

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

15dB

Potenza - Max

80W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

AT-42000-GP4

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10.5dB ~ 14dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Chip

HFA3102BZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

12.4dB ~ 17.5dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

UMIL10

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

100MHz ~ 400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

28W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

SD1015

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

10W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M135

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