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Micron Technology Inc. Memoria

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CategoriaSemiconduttori / Circuiti integrati di memoria / Memoria
ProduttoreMicron Technology Inc.
Record 8.604
Pagina 276/287
Immagine
Numero parte
Produttore
Descrizione
Disponibile
Quantità
Serie
Tipo di memoria
Formato memoria
Tecnologia
Dimensione della memoria
Interfaccia di memoria
Frequenza di clock
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina
Tempo di accesso
Tensione - Alimentazione
Temperatura di esercizio
Tipo di montaggio
Pacchetto / Custodia
Pacchetto dispositivo fornitore
MTFC64GAPALNA-AIT ES
Micron Technology Inc.
EMMC 512GBIT MMC5.1 J58X AT
6.156
*
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-
-
-
-
-
-
-
MTFC8GAMALBH-AAT ES
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64G MMC
4.446
e•MMC™
Non-Volatile
FLASH
FLASH - NAND
64Gb (8G x 8)
MMC
-
-
-
-
-40°C ~ 105°C (TA)
Surface Mount
153-TFBGA
153-TFBGA (11.5x13)
MTFC8GAMALBH-AIT ES
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64G MMC
8.118
e•MMC™
Non-Volatile
FLASH
FLASH - NAND
64Gb (8G x 8)
MMC
-
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)
Surface Mount
153-TFBGA
153-TFBGA (11.5x13)
MTFC8GAMALNA-AAT ES
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64G MMC
3.780
e•MMC™
Non-Volatile
FLASH
FLASH - NAND
64Gb (8G x 8)
MMC
-
-
-
-
-40°C ~ 105°C (TA)
Surface Mount
100-TBGA
100-TBGA (14x18)
MTFC8GAMALNA-AIT ES
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64G MMC
5.814
e•MMC™
Non-Volatile
FLASH
FLASH - NAND
64Gb (8G x 8)
MMC
-
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)
Surface Mount
100-TBGA
100-TBGA (14x18)
ECB130ABDCN-Y3
Micron Technology Inc.
LPDDR2 1G DIE 32MX32
7.596
*
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ECF440AACCN-V6-Y3
Micron Technology Inc.
LPDDR3 4G DIE 128MX32
2.178
*
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
ECF440AACCN-Y3
Micron Technology Inc.
LPDDR3 4G DIE 128MX32
6.354
*
-
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-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
ECF620AAACN-C1-Y3
Micron Technology Inc.
LPDDR3 6G DIE 192MX32
5.652
*
-
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-
-
-
-
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-
-
-
-
ECF620AAACN-C1-Y3-ES
Micron Technology Inc.
LPDDR3 6G DIE 192MX32
6.894
*
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
ECF620AAACN-C2-Y3
Micron Technology Inc.
LPDDR3 6G DIE 192MX32
2.286
*
-
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-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
ECF620AAACN-C2-Y3-ES
Micron Technology Inc.
LPDDR3 6G DIE 192MX32
7.776
*
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.
IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA
6.102
-
Volatile
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR3
8Gb (128M x 64)
Parallel
800MHz
-
-
1.14V ~ 1.95V
-30°C ~ 85°C (TC)
-
-
-
EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.
IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA
3.436
-
Volatile
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR3
8Gb (128M x 64)
Parallel
800MHz
-
-
1.14V ~ 1.95V
-30°C ~ 85°C (TC)
-
-
-
MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT
Micron Technology Inc.
SLC 128M DIE 32MX4
4.410
*
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES
Micron Technology Inc.
MLC 128G DIE 16GX8
6.084
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F128G08CBECBL95B3WC1
Micron Technology Inc.
IC FLASH 128G PARALLEL DIE
6.822
-
Non-Volatile
FLASH
FLASH - NAND
128Gb (16G x 8)
Parallel
-
-
-
2.7V ~ 3.6V
0°C ~ 70°C (TA)
-
-
-
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
TLC 128G DIE 16GX8
8.946
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
TLC 128G DIE 16GX8
7.398
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
TLC 256G DIE 32GX8
2.628
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
Micron Technology Inc.
TLC 256G DIE 32GX8
6.948
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
TLC 256G DIE 32GX8
6.318
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
Micron Technology Inc.
TLC 256G DIE 32GX8
8.568
*
-
-
-
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-
-
-
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-
-
-
-
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron Technology Inc.
TLC 256G DIE 32GX8
4.464
*
-
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-
-
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-
-
-
-
-
-
-
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA
Micron Technology Inc.
TLC 256G DIE 32GX8
4.824
*
-
-
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-
-
-
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-
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
SLC 2G DIE 2GX1
8.190
*
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-
MT29F4G08ABAFAM70A3WC1
Micron Technology Inc.
SLC 4G DIE 512MX8
7.074
*
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-
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1
Micron Technology Inc.
SLC 4G DIE 256MX16
5.868
*
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-
MT29F64G08ABEBBM84C3WC1
Micron Technology Inc.
SLC 64G DIE 8GX8
5.508
*
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-
MT40A256M16Z90BWC1
Micron Technology Inc.
DDR4 4G DIE 256MX16
5.868
*
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