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Numero parte	Descrizione	Disponibile
UES706HR2 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 20A DO4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 20A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile1.128
RS 4FS Sanken	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A AXIAL Produttore: Sanken Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1500V Corrente - Media Rettificata (Io): 2.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 1µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile544
1N4944 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.976
RJU6054TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile56
1N4936 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile30
CD214A-B240LF Bourns	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C	Disponibile137.358
ES2DHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile11.335
BY399P-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 125°C	Disponibile497.657
1N5404 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.223
SPV1001N40 STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 12.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 140mV @ 10A Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 30V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Temperatura di esercizio - Giunzione: -45°C ~ 150°C	Disponibile19.873
JANTX1N6626US Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/578 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 45ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, E Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile4.272
JANTX1N649-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/240 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile134
JANTX1N4938-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/169 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 175V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 175V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile9.108
VS-20ETF06FPPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 160ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Full Pack Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile99
VS-20ETF06PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 160ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile9.311
VS-20ETF04PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 160ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile4.355
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile41.662
RS2JHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile91.019
IDH10S120AKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile197
IDH05S120AKSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile606
IDD06SG60CXTMA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile13
MBR1640 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 16A TO220AC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile2.973
2A03-T Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-15 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile8.099
SB320-T Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile236
MA2J7290GL Panasonic Electronic Components	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 3ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: SMini2-F3 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile8.415
MA2J1130GL Panasonic Electronic Components	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F Pacchetto dispositivo fornitore: SMini2-F3 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile9.650
STTH512B STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile6.194
MURD310T4 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile1.417
BAT41JFILM STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile21.940
SDT08S60 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 280pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile331

UES706HR2

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 20A DO4

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 20A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile1.128

RS 4FS

Sanken

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A AXIAL

Produttore: Sanken
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 1µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile544

1N4944

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: A, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.976

RJU6054TDPP-EJ#T2

Renesas Electronics America

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile56

1N4936

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile30

CD214A-B240LF

Bourns

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA

Produttore: Bourns Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 125°C

Disponibile137.358

ES2DHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile11.335

BY399P-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 125°C

Disponibile497.657

1N5404

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.223

SPV1001N40

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN

Produttore: STMicroelectronics
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 140mV @ 10A
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -45°C ~ 150°C

Disponibile19.873

JANTX1N6626US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/578
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, E
Pacchetto dispositivo fornitore: D-5B
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile4.272

JANTX1N649-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/240
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile134

JANTX1N4938-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/169
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 175V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 175V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile9.108

VS-20ETF06FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 160ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Full Pack
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile99

VS-20ETF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 160ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile9.311

VS-20ETF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 160ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile4.355

CMH05A(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile41.662

RS2JHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile91.019

IDH10S120AKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile197

IDH05S120AKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile606

IDD06SG60CXTMA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile13

MBR1640

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 16A TO220AC

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile2.973

2A03-T

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-15
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile8.099

SB320-T

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-201AD
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile236

MA2J7290GL

Panasonic Electronic Components

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2

Produttore: Panasonic Electronic Components
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 3ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: SMini2-F3
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile8.415

MA2J1130GL

Panasonic Electronic Components

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2

Produttore: Panasonic Electronic Components
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 10ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitore: SMini2-F3
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile9.650

STTH512B

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

Produttore: STMicroelectronics
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile6.194

MURD310T4

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DPAK

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile1.417

BAT41JFILM

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323

Produttore: STMicroelectronics
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile21.940

SDT08S60

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC™+
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 280pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile331

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