UPA2737GR-E1-AT Datasheet
UPA2737GR-E1-AT Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 191,85 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
UPA2737GR-E1-AT
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
