SUP85N10-10P-GE3 Datasheet
SUP85N10-10P-GE3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 101,7 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SUP85N10-10P-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4660pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 227W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
