SUD50P10-43-E3 Datasheet
SUD50P10-43-E3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 84,77 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SUD50P10-43-E3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio -50°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
