STW40N95DK5 Datasheet
STMicroelectronics Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ DK5 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3480pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
STMicroelectronics Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ DK5 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3480pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia TO-247-3 |