STL6NM60N Datasheet
STL6NM60N Datasheet
Totale pagine: 12
Dimensioni: 296,48 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STL6NM60N
|
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 920mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFLAT™ (5x5) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
