STL120N2VH5 Datasheet
STL120N2VH5 Datasheet
Totale pagine: 18
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STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STL120N2VH5
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Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ V Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 14A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 2.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4660pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
