STL10N60M2 Datasheet
STL10N60M2 Datasheet
Totale pagine: 16
Dimensioni: 1.020,28 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STL10N60M2
|
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Plus Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 660mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) HV Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
