S40410161B1B2W013 Datasheet
Cypress Semiconductor Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie e.MMC 1B1 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 16Gb (2G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 100-LBGA (14x18) |
Cypress Semiconductor Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie e.MMC 1B1 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 16Gb (2G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 100-LBGA (14x18) |
Cypress Semiconductor Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie e.MMC 1B1 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 16Gb (2G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 153-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 153-VFBGA |
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