RDN080N25FU6 Datasheet
RDN080N25FU6 Datasheet
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Rohm Semiconductor
Sito web: https://www.rohm.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RDN080N25FU6
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FN Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
