NLAS4783BMN1R2G Datasheet
NLAS4783BMN1R2G Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NLAS4783BMN1R2G
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Produttore ON Semiconductor Serie - Circuito interruttore SPDT Circuito multiplexer / demultiplexer 2:1 Numero di circuiti 3 Resistenza allo stato attivo (max) 1Ohm Corrispondenza da canale a canale (ΔRon) 400mOhm (Max) Tensione - Alimentazione, Singola (V +) 1.65V ~ 4.5V Tensione - Alimentazione, doppia (V ±) - Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max) 27ns, 20ns -3db Larghezza di banda 17MHz Iniezione di carica 50pC Capacità canale (CS (off), CD (off)) 5pF Corrente - Perdita (IS (off)) (Max) 500nA Crosstalk -62dB @ 100kHz Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Pacchetto / Custodia 16-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 16-QFN (3x3) |
