NDH832P Datasheet
NDH832P Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 82,38 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NDH832P
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (massimo) -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-8 Pacchetto / Custodia 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
