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N0300N-T1B-AT Datasheet

N0300N-T1B-AT Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 252,69 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: N0300N-T1B-AT
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N0300N-T1B-AT

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-96-3, Thin Mini Mold

Pacchetto / Custodia

SC-96