IXTY1R4N60P TRL Datasheet
IXTY1R4N60P TRL Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 825,77 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXTY1R4N60P TRL
|
Produttore IXYS Serie Polar™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
