IXTN110N20L2 Datasheet
IXTN110N20L2 Datasheet
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IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXTN110N20L2
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Produttore IXYS Serie Linear L2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
