IXFB210N30P3 Datasheet
IXFB210N30P3 Datasheet
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IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXFB210N30P3
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Produttore IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 210A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 268nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1890W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PLUS264™ Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
