GB10MPS17-247 Datasheet
GB10MPS17-247 Datasheet
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GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
GB10MPS17-247
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1700V Corrente - Media Rettificata (Io) 50A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 12µA @ 1700V Capacità @ Vr, F 669pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |