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GB10MPS17-247 Datasheet

GB10MPS17-247 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 548,3 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: GB10MPS17-247
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GB10MPS17-247

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1700V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

12µA @ 1700V

Capacità @ Vr, F

669pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C