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DG2532DQ-T1-E3 Datasheet

DG2532DQ-T1-E3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 86,56 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: DG2532DQ-T1-E3, DG2531DQ-T1-E3
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DG2532DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

600mOhm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

50mOhm (Max)

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.8V ~ 5.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

70ns, 65ns

-3db Larghezza di banda

-

Iniezione di carica

54pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

143pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1nA

Crosstalk

-69dB @ 100kHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

10-MSOP

DG2531DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

600mOhm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

50mOhm (Max)

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.8V ~ 5.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

70ns, 65ns

-3db Larghezza di banda

-

Iniezione di carica

54pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

143pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1nA

Crosstalk

-69dB @ 100kHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

10-MSOP