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BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet

BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet
Totale pagine: 13
Dimensioni: 378,09 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSZ15DC02KDHXTMA1
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BSZ15DC02KDHXTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8-FL