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BSO330N02KGFUMA1 Datasheet

BSO330N02KGFUMA1 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 531,63 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSO330N02KGFUMA1
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BSO330N02KGFUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8