Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AOU2N60A Datasheet

AOU2N60A Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 428,68 KB
Alpha & Omega Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: AOU2N60A
AOU2N60A Datasheet Pagina 1
AOU2N60A Datasheet Pagina 2
AOU2N60A Datasheet Pagina 3
AOU2N60A Datasheet Pagina 4
AOU2N60A Datasheet Pagina 5
AOU2N60A Datasheet Pagina 6
AOU2N60A

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA