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123NQ100R Datasheet

123NQ100R Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 100,77 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: 123NQ100R, 123NQ080, 123NQ100
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123NQ100R

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

910mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

2650pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

123NQ080

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

910mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 80V

Capacità @ Vr, F

2650pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

123NQ100

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

910mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

2650pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-