Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FJNS3206RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.222
FJNS3206RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.286
FJNS3207RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile5.148
FJNS3207RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.768
FJNS3208RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.996
FJNS3208RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.066
FJNS3209RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.484
FJNS3209RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.714
FJNS3210RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile4.338
FJNS3210RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile7.452
FJNS3211RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.442
FJNS3211RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.160
FJNS3212RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.844
FJNS3212RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.570
FJNS3213RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.490
FJNS3213RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.352
FJNS3214RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.996
FJNS3214RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.226
FJNS3215RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile5.238
FJNS3215RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.858
FJNS4201RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.876
FJNS4201RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.934
FJNS4202RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.772
FJNS4202RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.840
FJNS4203RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile7.650
FJNS4203RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile3.330
FJNS4204RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile2.484
FJNS4204RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile6.642
FJNS4205RBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile8.478
FJNS4205RTA ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92S	Disponibile7.542

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