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Transistor

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Disponibile
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ZXTD3M832TA
ZXTD3M832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 190MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile8.802
ZXTD4591AM832TA
ZXTD4591AM832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2A, 1.5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
  • Potenza - Max: 1W
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile4.878
ZXTD4591E6TA
ZXTD4591E6TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-23-6
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6
Disponibile230.016
ZXTD4591E6TC
ZXTD4591E6TC

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-23-6
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6
Disponibile7.920
ZXTD617MCTA
ZXTD617MCTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: W-DFN3020-8
Disponibile2.574
ZXTD618MCTA
ZXTD618MCTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 100MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: W-DFN3020-8
Disponibile3.420
ZXTD619MCTA
ZXTD619MCTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 100MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: W-DFN3020-8
Disponibile4.842
ZXTD6717E6QTA
ZXTD6717E6QTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • Tipo di transistor: -
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): -
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Potenza - Max: -
  • Frequenza - Transizione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.388
ZXTD6717E6TA
ZXTD6717E6TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.5A, 1.25A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V, 12V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Frequenza - Transizione: 180MHz, 220MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-23-6
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26
Disponibile85.200
ZXTD6717E6TC
ZXTD6717E6TC

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.5A, 1.25A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V, 12V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Frequenza - Transizione: 180MHz, 220MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-23-6
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26
Disponibile6.192
ZXTD717MCTA
ZXTD717MCTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 110MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
Disponibile2.232
ZXTD718MCTA
ZXTD718MCTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3.5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: W-DFN3020-8
Disponibile7.542
ZXTD720MCTA
ZXTD720MCTA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 190MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
Disponibile261.816
ZXTDA1M832TA
ZXTDA1M832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4.5A, 4A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V, 12V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
  • Potenza - Max: 1W
  • Frequenza - Transizione: 120MHz, 110MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile4.212
ZXTDAM832TA
ZXTDAM832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4.5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 120MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile3.600
ZXTDB2M832TA
ZXTDB2M832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 140MHz, 180MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile2.124
ZXTDBM832TA
ZXTDBM832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4.5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 140MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile3.510
ZXTDC3M832TA
ZXTDC3M832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A, 3A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V, 40V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
  • Potenza - Max: 1W
  • Frequenza - Transizione: 165MHz, 190MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile3.204
ZXTDCM832TA
ZXTDCM832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
  • Potenza - Max: 1.7W
  • Frequenza - Transizione: 165MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile8.118
ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TA

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN, PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 80V, 70V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 25nA
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
  • Potenza - Max: 1W
  • Frequenza - Transizione: 160MHz, 180MHz
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x2)
Disponibile3.024
ZXTP56020FDBQ-7
ZXTP56020FDBQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 2 PNP (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
  • Potenza - Max: 405mW
  • Frequenza - Transizione: -
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6
Disponibile8.280
ZXTP56060FDBQ-7
ZXTP56060FDBQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array

SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 2 PNP (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2A
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO)
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V
  • Potenza - Max: 510mW
  • Frequenza - Transizione: -
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6
Disponibile5.220
ACX114EUQ-13R
ACX114EUQ-13R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile4.500
ACX114EUQ-7R
ACX114EUQ-7R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile5.562
ACX114YUQ-13R
ACX114YUQ-13R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms, 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms, 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile6.102
ACX114YUQ-7R
ACX114YUQ-7R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms, 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms, 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile6.948
ACX115EUQ-13R
ACX115EUQ-13R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN, PNP Complementary
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile2.772
ACX115EUQ-7R
ACX115EUQ-7R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN, PNP Complementary
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile2.322
ACX124EUQ-13R
ACX124EUQ-13R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms, 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms, 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile4.212
ACX124EUQ-7R
ACX124EUQ-7R

Diodes Incorporated

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms, 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms, 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: 250MHz
  • Potenza - Max: 270mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Disponibile5.310