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Pagina 2144/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
2SK932-23-TB-E ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 200mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CP	Disponibile12.396
2SK932-24-TB-E ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 200mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CP	Disponibile14.155
5185_2N4391 ON Semiconductor	Transistor - JFET MOSFET N-CH JFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.470
5185-2N4392 ON Semiconductor	Transistor - JFET BIPOLAR TRANSISTORS Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.768
5285-MMBFJ201 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile7.812
8885_2N5115 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.808
BF246A Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET SCR Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.730
BF246A ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile1.703
BF246A_J35Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.668
BF246B Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET SCR Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.988
BF246B ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.866
BF246B_J35Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 625mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.958
BF246C Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET SCR Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.040
BF247A ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.506
BF247A_J35Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.862
BFR30,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile155
BFR30,235 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile4.410
BFR30LT1 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 225MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile8.928
BFR30LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 225MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile6.300
BFR31,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile2
BFR31,235 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile5.220
BFR31LT1 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 225MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile5.526
BFR31LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 225MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile3.888
BFT46,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.2V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile1
BSR56 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile19.535
BSR56,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: 20mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile3.618
BSR57 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile29.393
BSR57,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile8.946
BSR58 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile28.727
BSR58,215 NXP	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB)	Disponibile6.768

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