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Record 64.903

Pagina 1955/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APTGF90DA60CT1G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile6.606
APTGF90DA60D1G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 130A 445W D1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 130A Potenza - Max: 445W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D1 Pacchetto dispositivo fornitore: D1	Disponibile6.498
APTGF90DA60T1G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 110A 416W SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile5.796
APTGF90DA60TG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 110A 416W SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile5.238
APTGF90DH60T3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Asymmetrical Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.770
APTGF90DH60TG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Asymmetrical Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile8.442
APTGF90DU60TG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Dual, Common Source Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile7.560
APTGF90H60T3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Full Bridge Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile8.964
APTGF90H60TG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Full Bridge Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.428
APTGF90SK60D1G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 130A 445W D1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 130A Potenza - Max: 445W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D1 Pacchetto dispositivo fornitore: D1	Disponibile8.712
APTGF90SK60T1G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 110A 416W SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile5.400
APTGF90SK60TG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 110A 416W SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile2.250
APTGF90TA60PG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Three Phase Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile3.114
APTGF90TDU60PG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Triple, Dual - Common Source Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Potenza - Max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile4.788
APTGFQ25H120T2G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 40A 227W MODULE Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT and Fieldstop Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Potenza - Max: 227W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 2.02nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SP2 Pacchetto dispositivo fornitore: SP2	Disponibile4.104
APTGL120TA120TPG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Three Phase Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 140A Potenza - Max: 517W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile2.682
APTGL120TDU120TPG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli MOD IGBT 1200V 140A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Triple, Dual - Common Source Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 140A Potenza - Max: 517W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile3.600
APTGL180A1202G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 220A Potenza - Max: 750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 300µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP2 Pacchetto dispositivo fornitore: SP2	Disponibile7.848
APTGL180A120T3AG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 230A Potenza - Max: 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 300µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.264
APTGL240TL120G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Three Level Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 305A Potenza - Max: 1000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile238
APTGL325A120D3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 420A Potenza - Max: 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile3.438
APTGL325DA120D3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 420A 1500W D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 420A Potenza - Max: 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile4.284
APTGL325SK120D3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 420A 1500W D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 420A Potenza - Max: 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile7.722
APTGL40H120T1G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli MOD IGBT 1200V 65A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Potenza - Max: 220W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile4.284
APTGL40X120T3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli MOD IGBT 1200V 65A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Potenza - Max: 220W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.878
APTGL475A120D3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 610A Potenza - Max: 2080W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile7.362
APTGL475DA120D3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 610A 2080W D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 610A Potenza - Max: 2080W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile8.154
APTGL475SK120D3G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 610A 2080W D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 610A Potenza - Max: 2080W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile3.240
APTGL475U120D4G Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 610A Potenza - Max: 2082W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 4mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D4 Pacchetto dispositivo fornitore: D4	Disponibile7.722
APTGL475U120DAG Microsemi	Transistor - IGBT - Moduli POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 610A Potenza - Max: 2307W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 4mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile1

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